ТФ1010 једнозидни угљенични наноцеви прах

TF1010 is an electronic-grade ultra-high-purity single-walled carbon nanotube powder prepared by Shandong Tanfeng using super-growth CVD coupled with multi-stage high-temperature deep purification and targeted catalytic impurity removal processes. It is the highest-purity model in the entire single-walled product line, forming a clear gradient distinction from the TF1000 basic single-walled type. The tube diameter is precisely controlled within a narrow distribution range of 1.5–1.7 nm, the pristine carbon tube length is >100 μm, the Raman G/D ratio is >50, а дефекти аморфног угљеника на зиду цеви су изузетно мали. Основни диференцирани индикатор: ефективна чистоћа једнозидних угљеничних цеви је већа или једнака 98,5%, знатно већа од чистоће ТФ1000 од 80%. Метални пепео се контролише градијентом до нивоа од сто ппм, заостале нечистоће катализатора су у великој мери смањене, у основи избегавајући цурење полупроводничких уређаја, реакције са стране батерије и проблеме са померањем сигнала.

Бешавна цеваста структура једнослојног графена комбинује балистичку електронску проводљивост, ултра-високу еластичност и ултра-велику специфичну површину (500–1000 м²/г). Количина додавања перколације може бити само 0,03% да би се формирала проводљива мрежа пуног домена, погодна за 7 нм и мање напредне процесне танкослојне транзисторе, флексибилна логичка кола, силицијум-угљеничне аноде високе чистоће, војну и ваздухопловну лагану заштиту, ултра-високу осетљивост, сценарије високе осетљивости у траговима и друге биоосетљиве сценарије високе чистоће.

Фабрика је опремљена комплетним комплетом опреме за тестирање материјала високе чистоће, укључујући ТЕМ високе резолуције, Раманову спектроскопију, ТГА термогравиметрију и ИЦП-ОЕС. Свака серија се издаје са пуним сетом специјалних извештаја о испитивању садржаја једног зида, металних нечистоћа, пречника цеви и дужине. Истраживачким институтима, полупроводничким предузећима и водећим произвођачима солид-стате батерија дају се само узорци високе чистоће на нивоу грама и пилот серије на нивоу килограма. Модификовани прахови високе чистоће са амино и карбоксилним групама могу се прилагодити тако да се прилагоде дисперзији воде/органског растварача. Комплетан сет РоХС, РЕАЦХ, специјалних извештаја о ИЦП нечистоћама високе чистоће и МСДС безбедносних листова су комплетни, испуњавајући строге стандарде ревизије приступа материјала за увоз и извоз војних и полупроводничких производа.

Паковање: вакуум кесе од алуминијумске фолије, ПЕ композитне кесе, тонске кесе, прилагодљиве

Компанија је 2022. године уложила 50 милиона РМБ за оснивање „Схандонг Танфенг Нев Материалс Тецхнологи Цо., Лтд.“ у Хезеу, провинција Шандонг, са површином зграде од 4.000 квадратних метара. То је сада национално високотехнолошко предузеће са преко десет независних патената.

Производња и центар за истраживање и развој друге фазе планирана је за изградњу 2027. године. Компанија је прошла ИСО9001 међународни сертификат система квалитета и формирала је напредни центар за производњу наноматеријала и технички сервис који покрива цео процес рада, истраживања и развоја, пилот производњу и производњу. Тренутно поседује комплетне производне линије за прах угљеничних наноцеви, суспензију угљеничних наноцеви, мастербатцх угљеничних наноцеви, влакна од угљеничних наноцеви и филм од угљеничних наноцеви.

Имамо професионално тестирање и сертификацију. За заиста наноразмерне угљеничне наноцеви, Танфенг технологија обезбеђује податке о карактеризацији за различите моделе, као што су СЕМ слике, АФМ слике, ХРТЕМ слике, Раманова спектроскопија и узорци дифракције рендгенских зрака на праху.

Чистоћа једног зида Већа или једнака 98,5%, изузетно низак садржај нечистоћа и разног садржаја цеви, прилагођавајући се захтевима за однос укључивања и искључивања полупроводничких уређаја

У поређењу са чистоћом једног зида ТФ1000 од само 80%, ТФ1010 уклања угљеничне цеви са више зидова и честице аморфног угљеника кроз вишестепено пречишћавање, при чему разне нечистоће у фази чине мање од 1,5%. Када се користи у танкослојним транзисторима са ефектом поља, однос укључивања и искључивања уређаја се повећава за више од 10 пута, без цурења или изобличења сигнала узрокованих разним металним цевима, прилагођавајући се истраживању и развоју 7 нм и испод напредних интегрисаних кола заснованих на угљенику.

Доступна су три разреда ултра-ниског металног пепела, који у потпуности решавају проблем квара миграције металних јона у траговима

Пружа три спецификације пепела:<100 ppm / <500 ppm / <2000 ppm. Military and semiconductor chips can choose the ultra-pure grade within 100 ppm. Eliminates catalyst metal residue precipitating during device energization, avoiding wafer short circuits, continuous solid-state battery side reactions, and sensor baseline drift.

1.5–1.7 nm narrow tube diameter distribution + >100 μм ултра дугачке нетакнуте цеви, изузетно ниско пуњење без блокирања преноса светлости

Десет хиљада нивоа ултра-високи однос ширине и висине, проводљива количина додатка од чак 0,03%, доза пунила смањена за још 30% у поређењу са ТФ1000 за исти проводни ефекат. Пречник цеви је далеко мањи од таласне дужине видљиве светлости, припрема провидне проводне филмове без замућења и високог пропустљивости, прилагођавајући се масовној производњи склопивих екрана и фотонапонских провидних електрода.

Ultra-high crystallinity G/D >50, изузетно мало структуралних дефеката зида цеви, максимална стабилност електрохемијског циклуса

Зидови графенске цеви са малим дефектима смањују споредне реакције на интерфејсу електролита. Када се користе у силицијум-угљеничним анодама и солид-стате батеријама, могу у великој мери да потисну континуирано згушњавање СЕИ филма, са животним циклусом ћелија побољшаним за више од 35% у поређењу са ТФ1000 основним једнозидним, прилагођавајући се дугим батеријама високе класе за путничка возила.

Може усмерити одвојити полупроводничке једнозидне угљеничне цеви, језгро супстрата за флексибилне чипове мале снаге

Нетакнуте сировине са једним зидом високе чистоће олакшавају накнадно одвајање центрифугирања градијента густине, производећи висок удео полупроводничких једнозидних угљеничних наноцеви са високом мобилношћу носача и изузетно ниском потрошњом енергије уређаја, чинећи их основним сировинама за следећу генерацију флексибилних логичких кола мале снаге и микро сензора.

Ултра велика специфична површина 500–1000 м²/г, ултра-висока осетљивост захватање молекула у траговима

Огромна електрохемијска активна места, са способношћу адсорпције и препознавања гасова, биолошких протеина и трагова молекула тешких метала који далеко превазилазе ТФ1000, прилагођавајући се медицинским дијагностичким биосензорима и сондама за прецизну детекцију трагова загађивача животне средине.

Војни и ваздухопловство потпуно усклађен систем високе чистоће, лагана проводљива и топлотно проводљива интегрисана структурна арматура

Формулације са мало нечистоћа и без таложења испуњавају стандарде прихватања ваздухопловних и војних електронских компоненти. Екстремно ниско пуњење може постићи троструке ефекте трајне проводљивости, електромагнетне заштите и структуралног ојачања, увелико смањујући сопствену тежину компоненти сателита и авиона.

1. Напредни процесни полупроводници на бази угљеника, танкослојни транзистори са ефектом поља

7 нм и испод процесна интегрисана кола, флексибилни логички чипови, микро сензорска кола мале снаге; ултра-висока чистоћа једног зида обезбеђује висок однос укључивања/искључивања транзистора и ниско цурење, замењујући традиционалне материјале на бази силицијума за истраживање и развој микро-нано електронике после Мурове ере.

2. Војни/ваздухопловство ултра-високе чистоће, лаки проводљиви заштитни композитни материјали

Сателитска лака електромагнетна заштитна кућишта, расипање топлоте авиона и проводни интегрисани панели, електроде војних уређаја за складиштење енергије; ниске металне нечистоће испуњавају дугорочне стандарде стабилног рада војних компоненти на орбити.

3. Врхунске силицијум-угљеничне аноде, сулфидне потпуно чврсте батерије

Кондуктивни адитиви намењени силицијум-угљеничним анодама за врхунску потрошачку електронику и акумулаторе за путничка возила великог домета; ултра-ниске нечистоће потискују самопражњење ћелије, ултра-дуге угљеничне цеви пуферују проширење запремине силиконских честица, значајно продужавајући животни век циклуса.

4. Флексибилне прозирне проводне фолије високе пропусности, склопиви ОЛЕД дисплеји

Замена оскудног ИТО индијум-калај оксида, припрема проводних филмова са високим пропустом без замагљивања, прилагођавање склопивим екранима осетљивим на додир, носивим медицинским ЕКГ електродама и провидним колекторима струје фотонапонских ћелија, са слабљењем отпора испод 3% после хиљаду савијања.

5. Ултра-високе прецизности биолошких и еколошких сензора трагова

Сензори за детекцију медицинских протеина, детекција атмосферских трагова токсичних гасова, сонде за праћење тешких метала у траговима воде; ултра-велика специфична површина омогућава препознавање трагова молекула на нивоу ппб, са осетљивошћу детекције супериорном од ТФ1000 основног једнозидног.

6. Универзитетски гранични истраживачки пројекти ултра-високе чистоће наноматеријала

Узорци високе чистоће посвећени високопрецизном лабораторијском истраживању и развоју, као што је хирално одвајање полупроводника са једним зидом, напредни механизми чипова засновани на угљенику, механизми дугог циклуса батерија у чврстом стању и лаки композитни материјали у ваздухопловству.

П1: Које су разлике у избору језгра између ТФ1010 ултра-високе чистоће са једним зидом и ТФ1000 основног са једним зидом, и како би требало да бирају полупроводничке чипове?

О: Чистоћа једног зида ТФ1000 је само већа или једнака 80%, погодна за силицијум-угљеничне аноде, обичне флексибилне проводне филмове и конвенционална лабораторијска основна истраживања и развој; Чистоћа једног зида ТФ1010 је већа или једнака 98,5%, са металним пепелом до 100 ппм, и изузетно мало разних цеви и нечистоћа аморфног угљеника, посебно за полупроводничка интегрисана кола, војну и ваздухопловство, ултра-високу прецизност биосензивања, врхунске толеранције батерија за чврсте и нечистоће других сценарија; за високу стабилност уређаја, мало цурења и дуге циклусе, мора се изабрати ТФ1010.

П2: Којим сценаријима се прилагођавају три спецификације пепела ТФ1010?

A: <100 ppm (military/semiconductor chip highest grade), <500 ppm (high-end solid-state batteries, medical sensors), <2000 ppm (high-end silicon-carbon anodes, commercial flexible screens), freely selectable according to downstream product impurity admission standards.

П3: Чистоћа једног зида ТФ1010 од 98,5%, колико побољшања доноси однос укључивања/искључивања транзистора?

О: Пошто ТФ1000 садржи велике количине разних цеви са више зидова, однос укључивања/искључивања транзистора је само 10³–10⁴; ТФ1010 има изузетно мало разних нечистоћа у фази, а након одвајања, однос укључивања/искључивања уређаја полупроводничке угљеничне цеви може достићи изнад 10⁷, испуњавајући захтеве перформанси напредних процесних чипова.

П4: Када се ТФ1010 користи у солид-стате батеријама, колико се самопражњење ћелије може смањити у поређењу са ТФ1000?

О: ТФ1010 металне каталитичке нечистоће су у великој мери смањене, 30-дневно слабљење капацитета складиштења на собној температури у ћелијама чврстог стања је смањено за 40%, а животни век циклуса је побољшан за 35%, прилагођавајући се пилот масовној производњи дуготрајних солид-стате батерија за произвођаче аутомобила.

П5: Да ли је ТФ1010 прах тешко распршити и да ли се може прилагодити полупроводничкој литографији која подржава суспензију?

О: Амино модификовани прах високе чистоће ТФ1010 се може прилагодити, прилагођавајући се дисперзији органског растварача са ниским садржајем нечистоћа посвећеној литографији, без трагова метала који контаминирају плочице; наша компанија може да обезбеди решења за процес дисперзије са ниским смицањем високе чистоће.

П6: За извозне војне и полупроводничке пројекте, може ли ТФ1010 издати посебне извештаје о тестирању нечистоћа метала високе чистоће?

О: Свака серија је опремљена независном ИЦП-ОЕС листом за испитивање пепела високе чистоће, прецизно означавајући резидуални садржај различитих метала катализатора. Комплетан сет РоХС, РЕАЦХ и МСДС докумената је комплетан, испуњавајући ревизије треће стране за војне и полупроводничке материјале за увоз и извоз.

П7: Коју пропусност може постићи ТФ1010 у припреми провидних проводних филмова? Има ли проблема са маглом?

О: Пропустљивост филма већа или једнака 90%, замагљивање<1%, far superior to TF1000 basic single-walled, with no film surface graying or uneven transmittance caused by miscellaneous tubes, adapting to mass production of high-end foldable display panels.

Popularne oznake: тф1010 једнозидне угљеничне наноцеви у праху, Кина тф1010 једнозидне угљеничне наноцеви у праху произвођачи, добављачи, фабрика